رسانش الکترونی یک نانوسیم شامل اتم های مرتعش سطحی

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی های پایین تر جابه جا شده و قله های جدیدی نیز در طیف رسانش پدیدار می شود. همچنین برای یک مقدار ثابت قدرت برهمکنش، با کاهش مقدار انرژی پرش الکترون در اتصال ها، قله های تشدیدی تیزتر و دره ها عمیق تر می شوند.